Sáng chế đề quy trình chế tạo màng mỏng gali oxit (Ga₂O₃) cấu trúc xốp nano bằng phương pháp quay phủ cho cảm biến quang vùng mù mặt trời và lớp màng mỏng gali oxit (Ga₂O₃) cấu trúc xốp nano thu được từ quy trình này. Quy trình theo sáng chế cho phép tạo ra lớp bán dẫn loại n (n-type Ga₂O₃₎ với bề dày có thể điều chỉnh theo yêu cầu, đồng thời hình thành cấu trúc xốp nano cả trên bề mặt (thể hiện qua ảnh hiển vi điện tử quét bề mặt) và bên trong chiều dày màng (thể hiện qua ảnh hiển vi điện tử quét mặt cắt ngang). Màng mỏng Ga₂O₃ xốp nano thu được thể hiện đặc tính hấp thu quang UV-Vis và năng lượng vùng cấm (bandgap) phù hợp với vật liệu Ga₂O₃ được chế tạo bằng các kỹ thuật tiên tiến dựa trên chân không như phún xạ hoặc lắng đọng hơi. Trên cơ sở đó, lớp n-type Ga₂O₃ được chế tạo theo sáng chế được ứng dụng làm cảm biến quang UVC hiệu suất cao, có tính chất vùng mù mặt trời và khả năng hoạt động ở chế độ tự cấp nguồn.