<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>

<wo-patent-document lang="th" status="Published" country="TH">
  <wo-bibliographic-data status="ประกาศโฆษณาคำขอรับสิทธิบัตร">
    <publication-reference>
      <document-id>
        <country>TH</country>
        <doc-number>2501007929A</doc-number>
        <kind>A</kind>
        <date>20260511</date>
      </document-id>
    </publication-reference>
    <classifications-ipcr>
      <classification-ipcr sequence="0001">
        <ipc-version-indicator>
          <date>20060101</date>
        </ipc-version-indicator>
        <section>B</section>
        <class>60</class>
        <subclass>V</subclass>
        <main-group>3</main-group>
        <subgroup>00</subgroup>
        <classification-value>A</classification-value>
      </classification-ipcr>
    </classifications-ipcr>
    <application-reference>
      <document-id>
        <country>TH</country>
        <doc-number>2501007929</doc-number>
        <date>20251120</date>
      </document-id>
    </application-reference>
    <priority-claims>
      <priority-claim sequence="0001" kind="national">
        <country>JP</country>
        <doc-number>2024-204968</doc-number>
        <date>20241125</date>
      </priority-claim>
    </priority-claims>
    <parties>
      <applicants>
        <applicant sequence="0001" app-type="applicant" designation="all">
          <addressbook lang="th">
            <name>โตโยต้า จิโดชา คาบูชิกิ ไคชา</name>
            <address>
              <address-1>1, โตโยต้า-โช, โตโยต้า-ชิ, ไอจิ 471-8571</address-1>
              <country>JP</country>
            </address>
          </addressbook>
          <nationality>
            <country>JP</country>
          </nationality>
          <residence>
            <country/>
          </residence>
        </applicant>
      </applicants>
      <inventors>
        <inventor sequence="0001">
          <addressbook lang="th">
            <name>นาโอะฮิโระ มาชิโมะ</name>
            <address>
              <address-1>ซี/โอ โตโยต้า จิโดชา คาบูชิกิ ไคชา 1, โตโยต้า-โช, โตโยต้า-ชิ, ไอจิ-เคน 471-8571</address-1>
              <country>JP</country>
            </address>
          </addressbook>
        </inventor>
        <inventor sequence="0002">
          <addressbook lang="th">
            <name>มาซาฟูมิ โนเสะ</name>
            <address>
              <address-1>ซี/โอ โตโยต้า จิโดชา คาบูชิกิ ไคชา 1, โตโยต้า-โช, โตโยต้า-ชิ, ไอจิ-เคน 471-8571</address-1>
              <country>JP</country>
            </address>
          </addressbook>
        </inventor>
        <inventor sequence="0003">
          <addressbook lang="th">
            <name>ฮิโรโอะ โนซากิ</name>
            <address>
              <address-1>ซี/โอ โตโยต้า จิโดชา คาบูชิกิ ไคชา 1, โตโยต้า-โช, โตโยต้า-ชิ, ไอจิ-เคน 471-8571</address-1>
              <country>JP</country>
            </address>
          </addressbook>
        </inventor>
      </inventors>
      <agents>
        <agent sequence="0001" rep-type="agent">
          <addressbook lang="th">
            <name>นาง ดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์</name>
            <address>
              <address-1>บริษัท ติลลิกีแอนด์กิบบินส์ อินเตอร์เนชั่นแนล จำกัด เลขที่ 1011 อาคารศุภาลัย แกรนด์ ทาวเวอร์ ชั้น 20-26 พระราม 3 &amp;#xe15;&amp;#xe33;&amp;#xe1a;&amp;#xe25;ช่องนนทรี &amp;#xe2d;&amp;#xe33;&amp;#xe40;&amp;#xe20;&amp;#xe2d;ยานนาวา &amp;#xe08;&amp;#xe31;&amp;#xe07;&amp;#xe2b;&amp;#xe27;&amp;#xe31;&amp;#xe14;กรุงเทพมหานคร</address-1>
              <country>TH</country>
            </address>
          </addressbook>
        </agent>
        <agent sequence="0002" rep-type="agent">
          <addressbook lang="th">
            <name>นางสาว สนธยา สังขพงศ์</name>
            <address>
              <address-1>แห่ง บริษัท ติลลิกีแอนด์กิบบินส์ อินเตอร์เนชั่นแนล จำกัด เลขที่ 1011 อาคารศุภาลัย แกรนด์ ทาวเวอร์ ชั้นที่ 20-26 พระราม 3 &amp;#xe15;&amp;#xe33;&amp;#xe1a;&amp;#xe25;ช่องนนทรี &amp;#xe2d;&amp;#xe33;&amp;#xe40;&amp;#xe20;&amp;#xe2d;ยานนาวา &amp;#xe08;&amp;#xe31;&amp;#xe07;&amp;#xe2b;&amp;#xe27;&amp;#xe31;&amp;#xe14;กรุงเทพมหานคร</address-1>
              <country>TH</country>
            </address>
          </addressbook>
        </agent>
        <agent sequence="0003" rep-type="agent">
          <addressbook lang="th">
            <name>นางสาว สุคนธ์ทิพย์ จิตมงคลทอง</name>
            <address>
              <address-1>บริษัท ติลลิกีแอนด์กิบบินส์ อินเตอร์เนชั่นแนล จำกัด เลขที่ 1011 อาคารศุภาลัย แกรนด์ ทาวเวอร์ ชั้นที่ 20-26 พระราม 3 &amp;#xe15;&amp;#xe33;&amp;#xe1a;&amp;#xe25;ช่องนนทรี &amp;#xe2d;&amp;#xe33;&amp;#xe40;&amp;#xe20;&amp;#xe2d;ยานนาวา &amp;#xe08;&amp;#xe31;&amp;#xe07;&amp;#xe2b;&amp;#xe27;&amp;#xe31;&amp;#xe14;กรุงเทพมหานคร</address-1>
              <country>TH</country>
            </address>
          </addressbook>
        </agent>
      </agents>
    </parties>
    <invention-title lang="th">&lt;p&gt;วิธีการผลิตซิลิคอนที่เป็นรูพรุน, ซิลิคอนที่เป็นรูพรุน, ชั้นของอิเล็กโทรดลบและแบตเตอรี่ทุติยภูมิ&lt;/p&gt;</invention-title>
    <wo-dates-of-public-availability>
      <gazette-reference>
        <gazette-num>19/2569</gazette-num>
        <date>20260511</date>
      </gazette-reference>
    </wo-dates-of-public-availability>
    <wo-national-office-event national-office-event-type="Filed" doc-number="2501007929" event-name="Filing">
      <wo-national-office-event-date>
        <date>20251120</date>
      </wo-national-office-event-date>
    </wo-national-office-event>
    <wo-national-office-event national-office-event-type="Published" doc-number="2501007929A" event-name="Publication">
      <wo-national-office-event-date>
        <date>20260511</date>
      </wo-national-office-event-date>
    </wo-national-office-event>
    <wo-national-office-filing-data appl-type="Patents" file-type="">
      <kind-of-protection>National Patent</kind-of-protection>
    </wo-national-office-filing-data>
  </wo-bibliographic-data>
  <claims lang="th">
    <claim num="1">
      <claim-text>&lt;p&gt;OCR 06WT&lt;/p&gt; &lt;p&gt;1. วิธีการผลิตซิลิคอนที่เป็นรูพรุนซึ่งประกอบรวมด้วย&lt;/p&gt; &lt;p&gt;การนำวัตถุดิบที่มีส่วนประกอบของซิลิเกตมาสัมผัสกับก๊าซของโลหะอัลคาไลเอิร์ธและ&lt;/p&gt; &lt;p&gt;การนำวัตถุดิบซึ่งถูกนำมาสัมผัสกับก๊าซของโลหะอัลคาไลเอิร์ธมาสัมผัสกับกรด&lt;/p&gt; &lt;p&gt;2. วิธีการผลิตซิลิคอนที่เป็นรูพรุนของข้อถือสิทธิที่ I โดยที่ซิลิเกตคือซิลิเกตของโลหะ&lt;/p&gt; &lt;p&gt;อัลคาไล&lt;/p&gt; &lt;p&gt;3. วิธีการผลิตซิลิคอนที่เป็นรูพรุนของข้อถือถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 โดยที่ซิลิเกตคือสารประกอบ&lt;/p&gt; &lt;p&gt;อย่างน้อยหนึ่งอย่างซึ่งถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยโซเดียมซิลิเกตเเละลิเทียมซิลิเกต&lt;/p&gt; &lt;p&gt;4. วิธีการผลิตซิลิคอนที่เป็นรูพรุนของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิที่ I ถึง 3 โดยที่ซิลิเกต&lt;/p&gt; &lt;p&gt;คือโซเดียมซิลิเกต&lt;/p&gt; &lt;p&gt;5. วิธีการผลิตซิลิคอนที่เป็นรูพรุพของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิที่ I ถึง 4 โดยที่ ก๊าซของ&lt;/p&gt; &lt;p&gt;โลหะอัลคาไลเอิร์ธคือก๊าซแมกนีเซียม&lt;/p&gt; &lt;p&gt;6. ซิลิคอนที่เป็นรูพรุนโดยที่&lt;/p&gt; &lt;p&gt;อัตราส่วนของโพรงซึ่งถูกคำนวณจากปริมาตรของรูพรุนซึ่งถูกวัดค่าโดยใช้วิธีการ&lt;/p&gt; &lt;p&gt;Barrett-Joyner-Halenda (วิธีการ BJH) มีค่าเท่ากับ 66% หรือสูงกว่าและ&lt;/p&gt; &lt;p&gt;ซิลิคอนที่เป็นรูพรุนประกอบรวมด้วยโลหะอัลคาไลโดยมีปริมาณประกอบเท่ากับ&lt;/p&gt; &lt;p&gt;0.5% โดยมวลหรือสูงกว่า&lt;/p&gt; &lt;p&gt;7. ซิลิคอนที่เป็นรูพรุนของข้อถือสิทธิที่ 6 โดยที่โลหะอัลคาไลคือธาตุทางเคมีอย่างน้อย&lt;/p&gt; &lt;p&gt;หนึ่งชนิดซึ่งถูกเลือกมาจากลุ่มที่ประกอบด้วยโซเตียมและลิเทียม&lt;/p&gt; &lt;p&gt;ซิลิคอนที่เป็นรูพรุนของข้อถือสิทธิที่ 6 หรือ 7 โดยที่ปริมาตรของรูพรุนมีค่าเท่ากับ&lt;/p&gt; &lt;p&gt;0.8 เซนติเมตร&amp;#39;/กรัมหรือสูงกว่า&lt;/p&gt; &lt;p&gt;9. ซิลิคอนที่เป็นรูพรุนของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิที่ 6 ถึง 8 โดยที่ขนาดของรูพรุน&lt;/p&gt; &lt;p&gt;เฉลี่ยมีค่าเท่ากับ 15 นาโนเมตรหรือน้อยกว่า&lt;/p&gt; &lt;p&gt;10. ซิลิคอนที่เป็นรูพรุนของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิที่ 6 ถึง 9 โดยที่พื้นที่ผิวจำเพาะ&lt;/p&gt; &lt;p&gt;แบบ BET มีค่าเท่ากับ 70 เมตร/กรัมหรือสูงกว่า&lt;/p&gt; &lt;p&gt;11. ชั้นของอิเล็กโทรดลบซึ่งประกอบรวมด้วย&lt;/p&gt; &lt;p&gt;ชั้นของวัสดุออกฤทธิ์สำหรับอิเล็กโทรดลบซึ่งรวมถึง&lt;/p&gt; &lt;p&gt;ตัวรวบรวมกระแสไฟฟ้าของอิเล็กโทรดลบและ&lt;/p&gt; &lt;p&gt;ซิลิคอนที่เป็นรูพรุนของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิที่ 6ถึง 10 ซึ่งเป็นวัสดุออกฤทธิ์สำหรับ&lt;/p&gt; &lt;p&gt;อิเล็กโทรคลบซึ่งถูกจัดเรียงไว้บนผิวหน้าแห่งหนึ่งหรือผิวหน้าทั้งสองแห่งของตัวรวบรวมกระแสไฟฟ้า&lt;/p&gt; &lt;p&gt;ของอิเล็กโทรดลบ&lt;/p&gt; &lt;p&gt;12. แบตเตอรี่ทุติขภูมิซึ่งประกอบรวมด้วย&lt;/p&gt; &lt;p&gt;ชั้นของอิเล็กโทรดลบของข้อถือสิทธิที่ 11&lt;/p&gt; &lt;p&gt;ชั้นของอิเล็กโทรดบวกซึ่งรวมถึงตัวรวบรวมกระแสไฟฟ้าของอิเล็กโทรดบวกและชั้นของ&lt;/p&gt; &lt;p&gt;วัสดุออกฤทธิ์สำหรับอิเล็กโทรดบวกโดยที่ชั้นของวัสดุออกฤทธิ์สำหรับอิเล็กโทรดบวกมีส่วนประกอบของ&lt;/p&gt; &lt;p&gt;วัสดุออกฤทธิ์สำหรับอิเล็กโทรดบวกซึ่งถูกจัดเรียงไว้บนผิวหน้าแห่งหนึ่งหรือผิวหน้าทั้งสองแห่งของ&lt;/p&gt; &lt;p&gt;ตัวรวบรวมกระแสไฟฟ้าของอิเล็กโทรดบวกและ&lt;/p&gt; &lt;p&gt;ชั้นของอิเล็กโทรไลต์ซึ่งถูกจัดเรียงไว้ระหว่างชั้นของอิเล็กโทรดลบและชั้นของ&lt;/p&gt; &lt;p&gt;อิเล็กโทรดบวก&lt;/p&gt; &lt;p&gt;13. แบตเตอรี่ทุติยภูมิของข้อถือสิทธิที่ 12 โดยที่ชั้นของอิเล็กโทรไลต์รวมถึงอิเล็กโทรไลด์&lt;/p&gt; &lt;p&gt;ที่เป็นของแข็ง&lt;/p&gt;</claim-text>
    </claim>
  </claims>
  <abstract lang="th">
    <p num="0001">&lt;p&gt; &lt;/p&gt; &lt;p&gt;OCR 06WT&lt;/p&gt; &lt;p&gt;วิธีการผลิตซิลิคอนที่เป็นรูพรุนซึ่งประกอบรวมด้วยการนำวัตถุดิบที่มีส่วนประกอบของ&lt;/p&gt; &lt;p&gt;ซิลิเกตมาสัมผัสกับก๊าซของโลหะอัลคาไลเอิร์ธและการนำวัตถุดิบซึ่งถูกนำมาสัมผัสกับก๊าซของ&lt;/p&gt; &lt;p&gt;โลหะอัลคาไลเอิร์ธมาสัมผัสกับกรด&lt;/p&gt;</p>
  </abstract>
</wo-patent-document>
